Транзистор КТ316ДМ

Цена: по запросу

Цены на все радиодетали зависят от запрашиваемого количества.
Для оптовых покупателей действуют специальные предложения.

Код товара: 002526724 Артикул: КТ316ДМ Категория: Доставка по всей РФ:

Форма быстрого заказа:

Click or drag files to this area to upload. Вы можете загрузить до 4 файлов.

Описание КТ316ДМ

На все транзисторы КТ316ДМ, как и на другие товары на сайте, действует гарантия от 1 года. Срок гарантии может отличатся и зависит от типа устройства, больше информации вы можете узнать у наших консультантов.
Все радиодетали доставляются выбранной вами транспортной компанией.

 

Технические характеристики на транзистор КТ316ДМ:

КТ316ДМ
Транзисторы КТ316ДМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты (КТ316ГМ, КТ316ДМ) и переключающих устройствах (КТ316АМ, КТ316БМ, КТ316ВМ).
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Маркировка указывается на корпусе в сокращенном виде: 316А, 316Б, 316В, 316Г, 316Д.
Масса транзистора  не более 0,5 г.
Тип корпуса: КТ-26.
Технические условия: СБ0.336.030 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора КТ316ДМ:
— Структура транзистора: n-p-n
— Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
— fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 800 МГц;
— Uкэr max — Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 10 В (3кОм);
— Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
— Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА;
— Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;
— h21Э — Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 60… 300;
— Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 3 пФ;
— Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 40 Ом

Транзистор КТ316ДМ отвечает всем заявленным техническим характеристикам.
Также на сайте представлен широкий ассортимент электронных компонентов: диоды, резисторы, конденсаторы, транзисторы, тиристоры, микросхемы, трансформаторы, вентиляторы, сельсины, тахогенераторы. Мы делаем все, чтобы сотрудничество с нами было максимально выгодным для обеих сторон. Надеемся, что в лице нашей компании вы найдете надежного партнера для долгосрочного сотрудничества.

 

Для заказа КТ316ДМ и других радиодеталей обращайтесь в наш отдел продаж: