Описание 159НТ1Г
На все микросхемы 159НТ1Г, как и на другие товары на сайте, действует гарантия от 1 года. Срок гарантии может отличатся и зависит от типа устройства, больше информации вы можете узнать у наших консультантов.
Все радиодетали доставляются выбранной вами транспортной компанией.
Технические характеристики на микросхема 159НТ1Г:
159НТ1Г
Микросхемы 159НТ1Г представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Корпус типа 3101.8-9.01, масса не более 1,3 г.
Технические условия: АЕЯР.431410.455 ТУ.
Предельно допустимые режимы эксплуатации 159НТ1Г:
— Напряжение коллектор-база — 20 В
— Напряжение эмиттер-база — 4 В
— Напряжение между транзисторами — 20 В
— Ток коллектора постоянный — 10 мА
— Ток коллектора импульсный (tи = 30мкс) — 40 мА
— Рассеиваемая мощность (при Т= -60 +70° С) — 50 мВт
Минимальный срок сохраняемости микросхем при их хранении:
— в отапливаемом хранилище или в хранилище с регулируемыми влажностью и температурой или местах хранения микросхем, вмонтированных в защищенную аппаратуру, или находящихся в защищенном комплекте ЗИП — 25 лет;
— в неотапливаемом хранилище – 16,5 лет;
— под навесом и на открытой площадке, вмонтированными в аппаратуру ( в составе незащищенного объекта), или в комплекте ЗИП – 12,5 лет.
Срок сохраняемости исчисляется с даты изготовления, указанной на микросхеме.
Микросхема 159НТ1Г отвечает всем заявленным техническим характеристикам.
Также на сайте представлен широкий ассортимент электронных компонентов: диоды, резисторы, конденсаторы, транзисторы, тиристоры, микросхемы, трансформаторы, вентиляторы, сельсины, тахогенераторы. Мы делаем все, чтобы сотрудничество с нами было максимально выгодным для обеих сторон. Надеемся, что в лице нашей компании вы найдете надежного партнера для долгосрочного сотрудничества.
Для заказа 159НТ1Г и других радиодеталей обращайтесь в наш отдел продаж:
