Описание 2Д503Б
На все диоды 2Д503Б, как и на другие товары на сайте, действует гарантия от 1 года. Срок гарантии может отличатся и зависит от типа устройства, больше информации вы можете узнать у наших консультантов.
Все радиодетали доставляются выбранной вами транспортной компанией.
Технические характеристики на диод 2Д503Б:
2Д503Б
Диоды 2Д503Б кремниевые, эпитаксиальные, импульсные.
Предназначены для применения в качестве переключающих элементов в импульсных быстродействующих устройствах наносекундного диапазона.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 0,3 г.
Тип корпуса: КД-121.
Технические условия: ТТЗ.362.045 ТУ, ПО.070.052 ТУ.
Основные технические характеристики диода 2Д503Б:
— Uoбp max — Максимальное постоянное обратное напряжение: 30 В;
— Inp max — Максимальный прямой ток: 20 мА;
— fд — Рабочая частота диода: 350 мГц;
— Unp — Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при Inp 10 мА;
— Ioбp — Постоянный обратный ток: не более 10 мкА при Uoбp 30 В;
— tвoc обр — Время обратного восстановления: 0,01 мкс;
— Сд — Общая емкость: 2,5 пФ
Диод 2Д503Б отвечает всем заявленным техническим характеристикам.
Также на сайте представлен широкий ассортимент электронных компонентов: диоды, резисторы, конденсаторы, транзисторы, тиристоры, микросхемы, трансформаторы, вентиляторы, сельсины, тахогенераторы. Мы делаем все, чтобы сотрудничество с нами было максимально выгодным для обеих сторон. Надеемся, что в лице нашей компании вы найдете надежного партнера для долгосрочного сотрудничества.
Для заказа 2Д503Б и других радиодеталей обращайтесь в наш отдел продаж:
